[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-10] マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製

〇川崎 晟也¹、隈部 岳瑠¹、出来 真斗^1,2、渡邉 博崇³、田中 敦之³、本田 善央³、新井 学³、天野 浩^2,3 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来研)

キーワード：GaN、インパットダイオード、マイクロ波発振器

マイクロ波帯GaN IMPATダイオードの発振効率改善に向けて，低入力域での効率改善が見込まれるHi-Lo型構造について検討した．動作周波数15 GHzのHi-Lo型GaN IMPATTダイオードを設計した．計算からは，従来を上回る効率が示され，高効率化が期待できることが分かった．実際に発振特性を評価した結果、1 W程度の出力を得るのに必要な入力が約1/3となり，低入力域での発振効率が大幅に改善された．