11:30 〜 11:45 [18a-A301-10] マイクロ波帯Hi-Lo型GaN IMPATTダイオードの設計および作製 〇川崎 晟也1、隈部 岳瑠1、出来 真斗1,2、渡邉 博崇3、田中 敦之3、本田 善央3、新井 学3、天野 浩2,3 (1.名大院工、2.名大VBL、3.名大未来研)