[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-B401-8] OVPE法によるGaN超高速成長における水素分圧の影響

〇宇佐美 茂佳¹、東山 律子¹、今西 正幸¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、岡山 芳央²、吉村 政志³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：OVPE法、高速成長、水素分圧

酸化物気相成長（OVPE）法によるGaNの超高速成長に向けた成長条件の探索を行った。Ga2O分圧上昇に伴って結晶性の著しい悪化が見られたが、水素分圧を0.8atm以上に上昇させることで結晶性を改善可能であることがわかった。水素分圧0.8atmかつ高Ga2O分圧下においてV族不足が示唆されたため、V/III比を固定して成長を実施したところ、結晶性を維持したまま従来の200µm/hから470µm/hまで成長レートを増大させることに成功した。