2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月18日(土) 13:00 〜 16:30 B401 (2号館)

岩谷 素顕(名城大)、市川 修平(阪大)

14:45 〜 15:00

[18p-B401-7] 低ピット密度半極性r面AlGaN薄膜の低圧MOVPE成長

赤池 良太1、船戸 充1、川上 養一1 (1.京大院工)

キーワード:窒化物、AlGaN、半極性

AlGaN系量子井戸の内部量子効率は短波長になるにつれて低下するという問題があり,解決法の1つとして半極性面の利用がある.本研究室ではr面に着目している.c面の成長条件でr面上にAlNを成長すると高密度のピットが生じるため高圧での成長が必要だった.一方,高圧成長では気相中での寄生反応により原料利用効率が悪化する.そこで,今回は低圧下にて低ピット密度の半極性r面AlGaN薄膜の成長を試みた.