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[18p-B401-6] Single Crystal Growth of Aluminum Nitride by Flux Method
Keywords:Aluminum Nitride, Flux Method, Single Crystal
窒化アルミニウム(AlN)は、約6.2eVの広いバンドギャップを有し、窒化ガリウム(GaN)と全率固溶して窒化アルミニウムガリウム(AlGaN, AlxGa1-xN [x=0~1])を形成する半導体である。深紫外発光の用途に加え、パワーデバイス、高周波デバイスへの応用が期待される。我々は液相成長に着目し、溶液法の一種であるフラックス法によるAlN単結晶育成の検討を行ってきた。その成果を報告する。