[18p-B401-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18p-B401-7] Low-pressure MOVPE growth of semipolar r-plane AlGaN films with low pit density

〇Ryota Akaike¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:nitride, AlGaN, semipolar

AlGaN系量子井戸の内部量子効率は短波長になるにつれて低下するという問題があり，解決法の1つとして半極性面の利用がある．本研究室ではr面に着目している．c面の成長条件でr面上にAlNを成長すると高密度のピットが生じるため高圧での成長が必要だった．一方，高圧成長では気相中での寄生反応により原料利用効率が悪化する．そこで，今回は低圧下にて低ピット密度の半極性r面AlGaN薄膜の成長を試みた．