スケジュール 2 10:40 〜 10:55 [2-48A] 強磁場コロイドプロセスを用いたB4C中の細孔と結晶の方位制御 鈴木 達1、*東 翔太1、打越 哲郎1、吉田 克己2 (1. 物質・材料研究機構、2. 東京工業大学) キーワード：強磁場、スラリー、結晶配向、放電プラズマ焼結 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証
