プロセス・素材分野ショート講演2

[2K0601-14-12] Pangarov 理論に基づいた電析金属の結晶配向性遷移電位の決定(発表者：修士課程)

○佐伯 龍聖¹、大貝 猛¹ (1. 長崎大学)

キーワード：電析、コバルト、Pangarov 理論、ナノワイヤー、磁気特性

hcp-Co結晶は、(0 0 2）面の法線方向であるc 軸方向に自発磁化する特異的な性質を有するため、膜面垂直方向にc 軸配向させたhcp-Co薄膜は垂直磁気記録媒体として応用可能である。従来より、水溶液からの電析法を利用して、Co薄膜の作製が試みられているが、完全な垂直磁化特性を有する電析膜の合成に関する報告例は殆どない。Pangarovらは、二次元核理論を用いた理論計算により、電析金属結晶の優先配向性に及ぼす過電圧の影響を予測した。特にhcp-Co二次元単結晶に関しては最密充填面である（0 0 2）面が、低過電圧領域で優先配向すると予測されている。しかしながら、通常の電析金属膜では多結晶組織となり、粒界の影響を強く受けるため、結晶配向性遷移電位の決定が困難であった。そこで本研究では、Pangarovの理論を用いて電析Coの結晶配向性遷移電位を予測するとともに、ナノチャネル細孔内で、Co単結晶ナノワイヤー配列構造体を成長させ、電析時の陰極電位がhcp-Co結晶のc 軸配向性に及ぼす影響を調査し、角形比90%以上の垂直磁化特性を有する配列構造体の作製を目指す。