【ポスター発表】プロセス・素材分野　［9/3(水) 　PM ポスター発表会場］

[P032B] ペロブスカイト太陽電池への銀被覆銅ナノワイヤ透明導電膜の応用に向けた電子輸送層の設計

○豊田 美礼^{1[修士課程]}、横山 俊¹、横山 幸司¹、高橋 英志¹ (1. 東北大学)

キーワード：ペロブスカイト太陽電池、銀被覆銅ナノワイヤ、インジウムフリー、電子輸送層、金属酸化物

軽量性や柔軟性を備えたペロブスカイト太陽電池(PSCs)が近年注目を集めているが、透明導電膜材料として利用される酸化インジウムスズ(ITO)は高価格でありPSCsの低コスト化を妨げている。そこで銀被覆銅ナノワイヤ(Cu@AgNWs)がITOに代わる安価な透明導電膜材料として有望視されている。しかし銅は化学的劣化に弱いため、ペロブスカイト層が大気中の水分や電子輸送層(ETL)との界面不安定性によって分解すると、放出されたハライドイオンがETLを通じて導電膜側に拡散し、Cu@AgNWsを劣化させて導電性を著しく低下させる。劣化を防ぐため、ETLはペロブスカイト層との界面で安定性を保ちつつ、イオンバリアとしての機能も両立する必要がある。本研究ではペロブスカイト層にFA_0.8Cs_0.2PbI₃、ETLに非晶質なSnO₂とZnO、透明導電膜にCu@AgNWsを用いた複合膜を形成し、導電膜の耐久性制御を行った。SnO₂層のペロブスカイトとの高い界面安定性、ZnO層の高いハライドイオンブロック機能を組み合わせることで、複合膜形成後も導電膜は形成前と同等の導電性を2週間以上維持することに成功した。