[C-2-7] 再構成可能な整合回路によるC-X帯GaN 電力増幅器の開発
キーワード：GaN、電力増幅器、広帯域、スイッチ
レーダシステムにおける探知性能向上のため, 高出力な電力増幅器が求められている. 高い出力電力を得るために窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN HEMT）を用いて, 出力電力41.3 dBm以上の特性を有する電力増幅器を開発した. 近年, 異なる周波数帯域で動作するレーダシステムの要求に対応して, 帯域が広い高出力な電力増幅器が求められている. 本稿では増幅器内に装荷したスイッチを切り替えることで, 2つの周波数帯域で動作を可能とした電力増幅器を開発したので報告する.
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