Analysis of Gate Delay Scaling in In<sub>0.7</sub>Ga<sub>0.3</sub>As-Channel HEMTs

2008 International Conference on Solid State Devices and Materials

2008年9月23日〜 2008年9月26日
Tsukuba International Congress Center (EPOCHAL TSUKUBA), Ibaraki, Japan

S. Fukuda¹、T. Suemitsu¹、T. Otsuji¹、D. H. Kim²、J. A. del Alamo² (1.Tohoku Univ., Japan、2.MIT, USA)