Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO<sub>2</sub>/SiC (0-33-8) Interfaces

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

16:15 〜 16:30

^○T. Masuda¹, T. Hatakeyama¹, S. Harada¹, H. Yano² (1.AIST (Japan), 2.Univ. of Tsukuba (Japan))