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15．結晶工学 » 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

[16p-B2-1~14] 15.8 結晶評価.ナノ不純物・結晶欠陥

2013年9月16日(月) 13:30 〜 17:15 B2 (TC2 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[16p-B2-1] 成長界面上の空孔の発生と結晶内部における格子間シリコンの発生 [1] 融液輻射による加熱

^○阿部孝夫¹，高橋徹¹，白井光雲² (信越半導体¹，阪大²)

13:45 〜 14:00

[16p-B2-2] 成長界面上の空孔の発生と結晶内部の格子間シリコンの発生 [2] 成長速度の漸減による

^○阿部孝夫¹，高橋徹¹，白井光雲² (信越半導体¹，阪大産研²)

14:00 〜 14:15

[16p-B2-3] 格子間不純物が育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与える影響

^○末岡浩治，神山栄治 (岡山県大情報工)

14:15 〜 14:30

[16p-B2-4] 低温超音波測定と2次欠陥測定によるCZシリコン結晶中の原子空孔評価(1)弾性定数のソフト化とボイド欠陥の相関

^○斎藤広幸¹，岡部和樹^1,4，鹿島一日兒¹，金田寛^2,4，斉藤芳彦³，根本祐一⁴，後藤輝孝⁴ (グローバルウェーハズ¹，九工大院工²，東芝³，新潟大院自然⁴)

14:30 〜 14:45

[16p-B2-5] 低温超音波測定と2次欠陥測定によるCZシリコン結晶中の原子空孔評価(2) 原子空孔とBMD密度の相関

^○岡部和樹^1,2，斎藤広幸²，鹿島一日兒²，金田寛^1,3，斉藤芳彦⁴，根本祐一¹，後藤輝孝¹ (新潟大院自然¹，グローバルウェーハズ²，九工大院工³，東芝⁴)

14:45 〜 15:00

[16p-B2-6] 低温超音波測定と2次欠陥測定によるCZシリコン結晶中の原子空孔評価(3) 空孔数総和側と隠されたＢＭＤ

^○金田寛^1,2，斎藤広幸³，岡部和樹^2,3，鹿島一日兒³，斉藤芳彦⁴，根本祐一²，後藤輝孝² (九工大　院　工¹，新潟大　院　自然²，グローバルウェーハズ・ジャパン³，東芝⁴)

15:00 〜 15:15

[16p-B2-7] シリコン結晶中の置換型炭素不純物による室温1206 cm^－1赤外吸収線と非調和局在振動

^○金田寛¹，小野春彦² (九州工大　院工　電気電子¹，神奈川県産業技術センター²)

休憩　 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 15:45

[16p-B2-8] パワーデバイス用Siエピウェーハにおける炭素不純物のPL評価

^○中川聰子，鹿島一日兒 (グローバルウェーハズ)

15:45 〜 16:00

[16p-B2-9] メスバウア分光で観察したシリコン中の鉄不純物と欠陥構造

^○伊野裕司，田中清高，吉田豊 (静岡理工科大)

16:00 〜 16:15

[16p-B2-10] シリコン中Cuセンタのバンドギャップ内エネルギーレベル

^○中村稔¹，村上進²，鵜殿治彦¹ (茨城大工¹，日立日立研²)

16:15 〜 16:30

[16p-B2-11] pnダイオードの階段状逆方向電流ー電圧特性の考察（２）

^○村上進¹，穀内滋²，小林五月²，松吉聡³，寺川武士³，栗田信一³，中村稔⁴ (日立・日立研¹，日立原町電子²，日立・電機シ³，茨大工⁴)

16:30 〜 16:45

[16p-B2-12] 高密度に転位を導入したSi結晶におけるMn-Si合金形成

^○後藤頼良，大野裕，米永一郎 (東北大金研)

16:45 〜 17:00

△ [16p-B2-13] Ge結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析(2)

^○（M2）大和龍紀¹，末岡浩治¹，前田貴弘² (岡山県大院¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²)

17:00 〜 17:15

[16p-B2-14] Si/Ge(100)面のDimer表面誘起電荷と欠陥との相互作用

^○神山栄治，末岡浩治 (岡山県立大)

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