[19a-C7-1~15] 6.4 薄膜新材料

[19a-C7-7] XPSを用いたHfO₂/SiおよびY₂O₃/Siアニール界面の構造解析

^○豊嶋祐樹¹，谷脇将太¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵県大工¹，明大工²，JST-CREST³)

キーワード：界面,High-k,シリコン