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一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

[27a-PA7-1~27] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PA7 (第一体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27a-PA7-1] 希土類元素共添加によるCaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光増感現象のESR研究 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○北嶋一徹¹，滝沢武男¹，日高千晴¹，野村重孝² (日大¹，東京理科大²)

[27a-PA7-2] 蛍光XAFS法による選択成長Eu添加GaN中のEuイオン周辺局所構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大渕博宣¹，長谷川亮介²，李東建²，若松龍太²，松野孝則²，小泉淳²，本間徹生¹，藤原康文² (JASRI/SPring-8¹，阪大²)

[27a-PA7-3] 蛍光体CaAlSiN₃:Eu²⁺およびシリコン窒化物欠陥の電子スピン共鳴観察 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○神垣良昭¹，山元明²，須田順子² (イービーエル¹，ルミグリーンテクノロジー²)

[27a-PA7-4] 青色蛍光体Sr₃MgSi₂O₈:Eu²⁺の405 nm光励起における内部量子効率 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本慎二 (東京化学研究所)

[27a-PA7-5] Eu²⁺を付活したペロブスカイト型スカンジウム酸フッ化物蛍光体 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○藤田佳子¹，國本崇¹，三上昌義²，下村康夫² (徳文大院工¹，三菱化学科技セ²)

[27a-PA7-6] 固相合成法により作製した(Zn_1-XMg_X)Al₂O₄の紫外発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○石永健揚，小南裕子，中西洋一郎，原和彦 (静大電子研)

[27a-PA7-7] シリコンナノワイヤー上へのチオシリケート蛍光体の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○今井悠，尾田幸大郎，七井靖，奥野剛史 (電通大量子・物質工)

[27a-PA7-8] パルスレーザー堆積法を用いたEu₂SiS₄蛍光体膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐藤駿，七井靖，坂本侑，奥野剛史 (電通大量子・物質工)

[27a-PA7-9] 溶液合成法によるリン酸塩蛍光体I_aZnPO₄:Mn(I_a=Li,Na)の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山科憲司¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

[27a-PA7-10] BaSiF₆:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）関口大祐，奈良淳一，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-11] Eu³⁺賦活Ga₂O₃蛍光体の作製と発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○時田祥紀，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-12] NaCl:Ce³⁺ 青色蛍光体の作製および発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（B）長岡佳宏，近藤萌，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-13] SnO₂:Mn²⁺蛍光体の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○新井敬章，時田祥紀，安達定雄 (群馬大院工)

[27a-PA7-14] NaYF4:Erの欠陥準位がアップコンバージョン特性に及ぼす影響 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）伊東孝晃 (筑波大数理)

[27a-PA7-15] YVO₄:Bi³⁺,Eu³⁺蛍光体の発光スペクトルの温度依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○阿部泰雅¹，加藤有行¹，内富直隆¹，湯葢邦夫²，宍戸統悦² (長岡技科大工¹，東北大金研²)

[27a-PA7-16] Sm³⁺添加ガラス蛍光体とPr³⁺添加ガラス蛍光体の発光特性 ―ポストアニールの効果― (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大島弘嗣¹，渕真悟¹，上村彦樹²，竹田美和² (名大院工¹，科技財団²)

[27a-PA7-17] EuAlO₃単結晶の作製と発光特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○古川翔子，舟生浩一，山中明生 (千歳科学技術大)

[27a-PA7-18] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○相澤豊¹，大槻卓也¹，原子進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，JAEA³)

[27a-PA7-19] マイクロエマルジョンを用いたポリオール法によるYVO₄:Biナノ蛍光体の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

池口明良，磯前厚，^○加藤有行 (長岡技科大工)

[27a-PA7-20] 電気泳動堆積法によるペロブスカイト蛍光体薄膜の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

加藤陸，^○加藤有行 (長岡技科大工)

[27a-PA7-21] 層状ペロブスカイト酸化物における応力発光増大メカニズム (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（DC）上村直¹，山田浩志^1,2，徐超男^1,2 (九大院総理工¹，産総研²)

[27a-PA7-22] スパッタ成膜した新規なペロブスカイト蛍光体薄膜のEL特性(Ⅱ) (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○阿部信也，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

[27a-PA7-23] ディップコート法により作製した階段状酸化物薄膜における膜厚分布の改善 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○深田晴己，田中強士，南内嗣 (金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター)

[27a-PA7-24] ガス輸送気相成長法によるZnSeナノ結晶の作製 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○白井啓太，尾崎俊二 (群馬大院工)

[27a-PA7-25] 1光束2光子吸収測定によるInPの非線形感受率テンソルχ⁽³⁾の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）篠崎智文，坂東弘之，大石真樹，原皓，松末俊夫 (千葉大院・融合)

[27a-PA7-26] Tl系化合物における光第二高調波発生による構造相転移の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○荒木祥人¹，宮本桂¹，淺葉亮¹，沈用球²，三村功次郎²，脇田和樹¹，Nazim Mamedov³ (千葉工大¹，大府大院工²，ｱｾﾞﾙﾊﾞｲｼﾞｬﾝ物理研³)

[27a-PA7-27] AgGaS₂半導体のバンドギャップエネルギーの特異な温度依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）小野寺翼，尾崎俊二 (群馬大工)

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