[28a-F2-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[28a-F2-4] HfO₂ゲート酸化膜を用いた強相関酸化物(Nd,Sm)NiO₃の電子相制御 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○浅沼周太郎^1,2，島久^1,2，山田浩之¹，井上公^1,2，赤穗博司^1,2，秋永広幸^1,2，澤彰仁^1,2 (産総研¹，JST-CREST²)

キーワード：モットトランジスタ、強相関酸化物