[14p-CE-1~4] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-CE-1] [講演奨励賞受賞記念講演] SiC基板上にPAMBE成長したAlN層の成長初期III/V比による貫通転位発生メカニズムの考察

〇金子 光顕¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化物半導体、分子線エピタキシ、転位

我々はPAMBE 法によるSiC 基板上のAlN 層の成長に取り組んできた。前回、プラズマ点灯直後に成長を開始すると、成長開始時のIII/V 比がプラズマ安定時の定常状態に比べ4 割程度Al-rich となり、それが原因でAlN 層の貫通転位が増大してしまうこと、それを防ぐためにプラズマ点灯後若干の待機時間を設けることが有効なことを報告した。今回、この貫通転位発生メカニズム解明にむけ、前回と同様に待機時間により実効的な成長初期III/V比を変化させて極薄のAlN 層を成長することで成長初期を評価したので報告する。