[14p-PB12-1~23] 15.4 III-V族窒化物結晶

[14p-PB12-15] RF-MBE法によるエピタキシャルグラフェン上へのAlN成長

〇山崎 隆弘¹、畑 泰希¹、山根 悠介¹、関根 佳明²、前田 文彦²、日比野 浩樹²、藤田 実樹³、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.NTT物性基礎研、3.一関高専)

キーワード：AlN、グラフェン、移動度

SiC熱分解法によって成長したグラフェン上に、RF－MBE法を用いて、AlNを成長した。成長温度による、AlN成長層の表面状態と、グラフェン中の電子移動度とシート電子濃度について測定した結果を報告する。