[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-B13-1] 等電子トラップを導入したTFET のばらつき評価

〇森 貴洋¹、右田 真司¹、福田 浩一¹、森田 行則¹、水林 亘¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、大塚 慎太郎¹、安田 哲二¹、昌原 明植¹、松川 貴¹ (1.産総研)

キーワード：トンネルトランジスタ、等電子トラップ、ばらつき

等電子トラップ(IET)を導入したトンネルトランジスタ(TFET)の特性ばらつきを実験的に評価した結果を報告する。IETによるオン電流増大効果が明瞭に確認されると共に、オン電流ばらつきの抑制が確認された。電流ばらつきの接合電界ばらつきに対する感度は、トンネル確率の増大に伴って抑制されることがKaneの式より分かる。観測したオン電流ばらつきの抑制はこれを反映したものだと考えられる。