[14a-C31-1~10] 3.7 レーザープロセシング

[14a-C31-7] ポリカーボネート上シリコーン膜表面に形成したF₂レーザー誘起SiO₂改質膜のクラック抑制

〇野尻 秀智^1,2、大越 昌幸¹ (1.防衛大、2.レニアス)

キーワード：F2 レーザー、SiO2、改質

シリコーン樹脂を塗布したポリカーボネート基板上に、波長157 nmのF₂レーザーを、マスクを用いて細分化して照射することにより、クラックの発生を抑制しながらSiO₂改質層を形成することができた。このときのクラック発生メカニズムについて、試料内に発生する引張応力の見積りから検討した。その結果、マスクの開口サイズを小さくすると応力減少は顕著となり、クラック抑制の観点で有効であることが明らかとなった。