[14p-P10-1~25] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[14p-P10-19] SnO₂の室温原子層堆積法の開発と反応評価

〇野老 健太郎¹、齊藤 俊介¹、鹿又 健作¹、三浦 正範¹、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山大院理工)

キーワード：酸化スズ、原子層堆積法、プラズマ励起加湿アルゴン

酸化スズ(SnO₂)は酸化物半導体であり、薄膜トランジスタにおける透明導電膜層として研究が進められている。一般に酸化スズは熱原子層堆積法を用いて成膜されるが、我々はtetramethyl-tin (TMT)とプラズマ励起された加湿アルゴンを用いて室温での原子層堆積法を確立した。低温形成法であるため、フレキシブル材料への適用も可能であると考えられる。さらに酸化スズの室温原子層堆積反応を多重内部反射赤外吸収分光法によって評価し、成膜反応のモデル化を行った。