11:30 〜 11:45 [20a-S221-10] ゲートスタック中へのAl導入によるGe p-MOSFETの正孔移動度向上 〇永冨 雄太1、田中 慎太郎1、建山 知輝1、山本 圭介2、王 冬1、中島 寛2 (1.九大総理工、2.九大産連センター)