[19a-W810-1~10] 2.2 検出器開発

[19a-W810-1] 低抵抗率基板を用いたGated Silicon Drift Detectorの厚膜化と受光面積の拡大

〇竹下 明伸¹、櫻井 俊伍¹、小田 裕也¹、福島 慎也¹、石川 翔平¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹ (1.大阪電通大)

キーワード：低コストX線検出器

本研究室では現在市販されているSillicon Drift Detector(SDD)よりも構造を簡素化し、より安価で製造できるGated Silicon Drift Detector (GSDD)を提案している。市販されているSDDと使用条件（膜厚0.5 mm、印加電圧-150 V、抵抗率2 kΩ･cm）と一致させ、 Si Ｘ線検出素子GSDDのシミュレーションに成功している。しかしそのシミュレーションに用いたSi基板の膜厚0.5 mmではCdの蛍光Ｘ線（23.1 keV）のような高エネルギーに対して吸収率が低いという課題が挙げられる。高エネルギー蛍光X線の吸収率を高めるために、GSDDの厚膜化の可能性をデバイスシミュレーションを用いて調べた。