[20p-H135-1~16] 3.9 テラヘルツ全般

[20p-H135-11] 1.5μm帯励起用InGaAs光伝導層の成長条件依存性

〇加茂 喜彦¹、伊田 孝寛¹、栗田 暢之¹ (1.パイオニア)

キーワード：光伝導アンテナ、テラヘルツ

安価なTHzシステムを実現するために、高性能な1.5 μm帯レーザー励起光伝導アンテナ(PCA)を検討している。以前800 nm帯レーザー励起PCA用の光伝導層で示した発生用と検出用とで異なる物性指針が1.5μm帯励起用InGaAs光伝導層に対しても適用可能かを検証するため、分子線エピタキシー法による成長条件と物性値の相関について検討し、発生用と検出用のための2種類のInGaAs光伝導層を作製した。