[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

[20p-S421-5] 単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS₂ヘテロ構造の第一原理計算

〇大淵 真理¹ (1.富士通研)

キーワード：GeSe、密度汎関数法

グラフェンの発見以来、新たな2次元材料の探求が盛んになっている。より新しい材料として、GeSeのようなIV属モノカルコゲナイドが注目されつつある。単層・2層GeSeおよびGeSe/MoS₂ヘテロ構造を密度汎関数プログラムOpenMX を利用して調べ、GeSeの原子構造、電子状態の層数依存性、ヘテロ構造のバンド不連続値などを得た。