2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

2016年3月20日(日) 13:45 〜 16:45 S421 (南4号館)

上野 啓司(埼玉大)

15:30 〜 15:45

[20p-S421-8] MoS2 FETの電気特性を向上させるための熱処理プロセスの検討

〇佐野 宏亮1、足立 薫彦1、下川 慶久1、高橋 綱己1,2、内田 建1,2 (1.慶應大理工、2.JST CREST)

キーワード：半導体、二硫化モリブデン