[21a-S011-1~12] 17.2 グラフェン

[21a-S011-11] 水素終端処理したグラフェン／SiC(0001)におけるグラフェンの劣化
−電流通電が誘起した非常に遅い界面酸化−

〇前田 文彦^1,2、高村 真琴²、日比野 浩樹^3,2 (1.福岡工大工、2.ＮＴＴ物性基礎研、3.関西学院大学理工)

キーワード：エピタキシャルグラフェン、界面、移動度測定

SiCエピタキシャルグラフェンを水素雰囲気で高温加熱して作製した擬似的に自立したグラフェンでは、期待される高移動度は達成できていない。そのため、この移動度の低下を引き起こす要因を検討するため、移動度を測定した後のグラフェン表面について表面分析を行って界面酸化が起きていることを見出し、以前報告した。今回、この界面酸化が非常に遅い反応であり、電流の印可により欠陥生成された可能性があることを報告する。