[21p-P17-1~26] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-P17-26] エナジーハーベスト用ショットキーダイオードの検討その２

〇宮地 晃平¹、松野下 誠¹、岸川 諒子^2,3、吉田 賢史⁴、嘉数 誠⁵、堀部 雅弘³、西川 健二郎⁴、岩室 光則⁶、川﨑 繁男^1,2 (1.宇宙航空研究開発機構宇宙研、2.総研大、3.産総研、4.鹿児島大、5.佐賀大、6.日立化成(株))

キーワード：ショットキーバリアダイオード、熱拡散法

我々は、HySIC(Hybrid Semiconductor Integrated Circuit)デバイスにおいてRFスイッチや整合回路としてCMOSを用いることを検討しており、CMOSデバイスを実現するために、その第1歩として、Siショットキーバリアダイオードの研究開発を行った。Siウェハーは、高抵抗シリコン基板を用い、ホウ素源として用い熱拡散法にて実施した。