09:30 〜 09:45 [7a-A201-3] 三フッ化塩素ガスによるエッチング後の4H-SiCウエハ表面形態 〇奥山 将吾1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化、3.産総研)