[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-412-12] 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製（2）

柄谷 涼太¹、馬場 一気¹、吉田 稜¹、庄司 駿輔¹、中嶋 宇史²、松本 翼¹、徳田 規夫¹、〇川江 健¹ (1.金沢大理工、2.東京理科大)

キーワード：B添加ダイヤモンド、強誘電体ゲート、FET