[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-10] 放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析

〇佐々木 拓生¹、高橋 正光¹ (1.量研機構)

キーワード：放射光、MBE、その場X線回折

GaAs(111)A基板は、InAs薄膜を成長した際に、ヘテロ界面にのみ転位が集中し、貫通転位が発生しにくいなど、GaAs(001)基板とは異なる特徴が報告されており、貫通転位密度の低減に有効な基板として注目されている。そこで本研究は、GaAs(111)A基板上のInGaAs薄膜のひずみ緩和過程を明らかにすることを目的として、放射光その場X線回折によるInGaAs/ InAs/GaAs(111)A界面の構造解析を行った。