2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[15p-311-1~18] 6.4 薄膜新材料

2017年3月15日(水) 13:15 〜 18:15 311 (311)

篠田 健太郎(産総研)、中村 吉伸(東大)、名村 今日子(京大)

14:45 〜 15:00

[15p-311-6] 水素ラジカル支援パルスレーザ堆積法を用いたTiH2薄膜の作製

〇(B)西 暁登1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

キーワード:水素ラジカル、PLD、チタン水素化物

近年,水素のエネルギー利用に新たな可能性が見出されたことから,チタンを含む金属水素化物のさらなる応用が期待されている.チタン水素化物は,低い分解温度や水素脆化のため,単相のTiH2薄膜合成には至っていない.そこで我々は,水素酸化力を上げるため反応活性の高い水素ラジカルを用いたパルスレーザ堆積法で,水素流量とRFパワーから水素ラジカルの供給量を制御して,単相のTiH2薄膜を作製したので報告する.