[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15p-315-2] AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析

〇(M1)渡邉 健太¹、山田 高寛¹、野崎 幹人¹、中澤 敏志²、施 泓安²、按田 義治²、上田 哲三²、吉越 章隆³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック、3.日本原研)

キーワード：GaN、AlGaN、ヘテロ接合トランジスタ

高性能AlGaN/GaN-HFETの実現には、ノーマリオフ化・ゲートリーク電流抑制という点MOSゲート構造が望ましいため、絶縁膜/AlGaN界面制御が重要である。界面制御の手段として、AlGaN表面の酸化があるがAlGaN表面の初期酸化過程に関しては十分な評価は行われていない。そこで本研究ではAlGaN表面の酸化過程を放射光光電子分光分析によって調べた。