[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-P4-15] ヘテロ界面平坦性改善によるInAlN/AlGaN HFET構造の移動度向上

〇細見 大樹¹、宮地 祐太¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：パワーデバイス

MOCVD法によって成長したInAlN/AlGaN HFET構造について，ヘテロ界面の平坦性を改善した結果，移動度を向上させることができたため報告する。