[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-14] SiO₂-MOSFETs on the undoped GaN epi-layer

〇Katsunori Ueno¹, Shinya Takashima¹, Takuro Inamoto¹, Hideaki Matsuyama¹, Masaharu Edo¹, Tokio Takahashi³, Mitsuaki Shimizu³, Kiyokazu Nakagawa² (1.Fuji Electric, 2.Univ. of Yamanashi, 3.AIST)

Keywords:GaN, MOSFET, undoped

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討がされ始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術である。これまでにGaNのMg濃度依存性とMOSFETの特性を報告してきたが、今回、MOSFETの移動度の限界値を探索するため、アンドープGaNの場合についてMOSFETの特性を報告する。