[16a-P4-1~29] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-P4-15] Enhanced mobility of InAlN/AlGaN HFETs by improving heterointerface roughness

〇Daiki Hosomi¹, Yuta Miyachi¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nitech)

Keywords:power device

MOCVD法によって成長したInAlN/AlGaN HFET構造について，ヘテロ界面の平坦性を改善した結果，移動度を向上させることができたため報告する。