[16p-503-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-503-15] GaNダイオードを用いた各照射条件下におけるα線検出特性評価

〇中野 貴之¹、有川 卓弥¹、中川 央也²、宇佐美 茂佳³、久志本 真希³、本田 喜央^3,4、天野 浩^3,4,5、Schütt Sebastian⁶、Vogt Adrian⁶、Fiederle Michael⁶、三村 秀典⁷、井上 翼¹、青木 徹⁷ (1.静大院工、2.静大創造、3.名大院工、4.名大IMaSS、5.赤崎リサーチセンター、6.Univ. of Freiburg、7.静大電研)

キーワード：放射線検出、飛程

我々は新規中性子検出器としてBGaN半導体検出器を提案し、開発を進めている。しかしながら、母材であるGaNの放射線検出に関する諸特性評価は報告例が少なく、GaN中のα線の飛程などが明らかになっていない。そこで我々は真空雰囲気および大気雰囲気中における異なる照射距離でのα線照射実験によりGaN半導体の放射線検出特性評価を行った。実験結果とシミュレーションから、BGaN中性子検出器で(n, α)反応により発生するα線の飛程は約3.4μmであることを明らかにした。