[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-4] AlN系窒化物半導体のウェハ接合技術の検討

〇高橋 一矢¹、篠田 涼二¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、服部 友一¹、赤崎 勇^1,2、片山 竜二³、上向井 正裕³ (1.名城理工、2.名大、3.阪大院工)

キーワード：半導体、AlN、接合