[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-8] HVPE法による高純度GaN層の成長

〇藤倉 序章¹、堀切 文正¹ (1.サイオクス)

キーワード：GaN、HVPE、不純物濃度

石英フリーのHVPE装置により、高純度なGaNエピタキシャル層の成長に成功した。高純度GaN層中の不純物（Si, O, C, H, Fe, Cr, Ni, Ti等）濃度は、いずれも検出下限以下であった。ドーピング無しの場合には高純度GaN層は電気的には絶縁性であり、Siドーピングにより1x10¹⁵/cm³までの電子濃度制御が可能であった。