[17a-B5-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17a-B5-10] MOVPE法を用いたInAs基板上InAsSb量子井戸の歪補償障壁層検討

〇(M1)吉元 圭太¹、山形 勇也¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：中赤外、量子井戸

3~5ミクロン帯の中赤外波長域はCO、CO₂や炭化水素の分子振動の吸収線が多数あり、光吸収を用いたセンサ応用に期待されている。Type-I型のヘテロ構造を考えた場合、この波長帯域をカバーするナローバンドギャップ材料としてはInAsSb、ワイドバンドギャップ材料としてはAlAsSbが有望である。しかしながらGaSbとInSbの間の広い格子定数範囲で基板が無いことや、Type-I型のヘテロ構造を作れる材料の組み合わせが限られていることからデバイス設計、作製の自由度は小さいという問題があった。本研究ではIII族材料にGaを加えたAlGaAsSbを障壁層の使用と原料の変更、さらに井戸の圧縮歪を補償する伸張歪を与えた障壁層の導入を検討した。