[17p-416-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[17p-416-7] Si₃N₄/EOポリマー光変調器の作製と低電圧動作

〇佐藤 洸¹、横山 士吉^1,2 (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード：電気光学変調器、電気光学ポリマー

コアに窒化シリコン (Si₃N₄)とクラッドに電気光学ポリマーを用いた光変調器を作製した。光導波路の伝搬損失をカットバック法で測定した結果、3.7 dB/cmであった。Vπの測定結果を示す。マッハツェンダ導波路上に作製した2本の電極(長さ10 mm)に差動電圧を印可したときの光強度変化を測定したところ、約1.8 Vとの低電圧動作を実現した。