16:45 〜 17:00 [18p-234B-13] Si(111)基板上に成長したInAs極薄膜のラマン分光法による歪み評価 〇神林 郁哉1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大)