18:15 〜 18:30 [18p-234B-19] 表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn0.2Ga0.8Sbエピタキシャル成長 〇五十嵐 廉1、森 雅之1、前澤 宏一1 (1.富大工)