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[20a-PA3-2] Geのピエゾ抵抗効果（２）
キーワード：半導体、ピエゾ抵抗
半導体のピエゾ抵抗効果が導体のおよそ100倍もあることがSmith によって発見されて以来, Hensel, 長谷川，藤安等により歪サイクロトロン共鳴の実験や，Pikus & Bir, Herring & Vogt, 鈴木・長谷川・神田等による理論的な研究が行われてきた．近年では歪Siは高速RFデバイスやヘテロ構造のデバイス，歪センサ等に使われている．GeはSiに比べて移動度が大きく，次世代の材料として注目されている．しかしこれまでの歪半導体の研究はSiでは多く報告されているが，Geについてはあまり研究されていない．そこで本研究では，Geのピエゾ抵抗効果をモデル化し，デバイス設計に直接利用できるようにする，