13:30 〜 15:30 [20p-P6-23] GaN層の表面状態に関する検討(Ⅲ) 〇水野 愛1、鈴木 礼央1、吉村 翼1、渡邊 渉1、安藤 毅1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大学工)