2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス/集積化技術

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P8 (ベルサール高田馬場)

13:30 〜 15:30

[17p-P8-4] スパッタエピタキシー法を用いたSi/SiGe 正孔トンネル型RTDの作製技術と特性制御

脇谷 実1、塚本 貴広1、須田 良幸1 (1.農工大院工)

キーワード:共鳴トンネルダイオード