[18p-G203-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[18p-G203-4] 反強誘電体薄膜をゲート絶縁膜に用いたMOSFETの電気特性

〇山口 大志¹、後藤 高寛¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：反強誘電体、MOSFET、オン電流

Hf_xZr_1-xO₂からなる反強誘電体薄膜をゲート絶縁膜として使用したときのMOSFETの電気特性を、報告されたP-E特性に対しフィッティングして得られたP-E曲線からシミュレーションを用いて調べ、オン電流向上とヒステリシス低減の効果を明らかにしたので報告する。強誘電体薄膜を用いたときはオン電流の向上がみられたが大きなヒステリシスが発生したのに対し、反強誘電体薄膜ではヒステリシスを抑制しつつオン電流の向上がみられることが分かった。