[18p-G203-1~18] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[18p-G203-5] Electrical characteristics of La₂O₃/Si MOSFETs with ferroelectric-type hysteresis

〇Kiyoshi Endo¹, Kimihiko Kato¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1.Tokyo Univ.)

Keywords:semiconductor

我々は、ALD La₂O₃/InGaAs MOS構造が強誘電体型（反時計回り）のヒステリシスを示し、La₂O₃/InGaAs MOSFETでは、低温で従来のMOSFETの限界値より小さなS.S.が得られることを報告した 。しかしながらこのヒステリシスの起源として、強誘電性に加えイオンドリフトの影響の可能性もある。そこで本研究では、電気特性が比較的理解しやすいLa₂O₃/Si MOS構造およびMOSFETを作製し、そのC-V特性やI_d-V_g特性などを、異なる温度で評価することにより、ヒステリシスの起源および動作原理の解明を試みた。