2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[18p-P11-1~13] 12.2 評価・基礎物性

2018年3月18日(日) 16:00 〜 18:00 P11 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[18p-P11-12] 低ガラス転移点を有するジアリールエテン表面上におけるMg蒸気原子挙動と核形成

竹本 育未1、辻岡 強1 (1.大阪教育大)

キーワード:ジアリールエテン、蒸着選択性、フォトクロミズム

ジアリールエテン膜表面におけるMgなどの金属蒸着選択性は、電極パターニング技術への応用が期待されている。本研究では、消色膜上でMgの長時間蒸着を行い、堆積開始時間を調べることで、DAE表面での原子の挙動と核形成メカニズムを調査した。実験の結果、消色膜上である特定の時間からMgの堆積が始まることから、消色膜表面でMg原子が拡散・離脱するプロセスにおいて、何らかの核形成確率向上現象が生じていることを示している。