[19a-G203-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[19a-G203-1] In-Sn-O電極適用によるInGaZnO-TFTの実効チャネル長縮小効果の抑制

〇片岡 淳司¹、斉藤 信美¹、上田 知正¹、手塚 勉¹、澤部 智明¹、池田 圭司¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：酸化物半導体、低抵抗領域、走査型広がり抵抗顕微鏡